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台积电 BEOL 内嵌内存技术详解,0.017μm² 单元面积对标 3D DRAM

台积电 BEOL 后段内嵌内存已经进入实验研发阶段,单元面积做到 0 017 平方微米,它是直接在芯片金属互连层(BEOL 后段)制作的高密度 浏览全文>>