英飞凌推出首款300mm碳化硅功率器件晶圆产出提升2.3倍_大广网

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英飞凌 300mm 碳化硅功率器件晶圆工艺落地，对比 200mm 晶圆单晶圆芯片产出提升至 2.3 倍

英飞凌官宣成功在标准量产产线上完成 300mm 碳化硅（SiC）功率器件晶圆试制，相比当前主流 200mm 碳化硅晶圆，单张晶圆可切割出的芯片浏览全文>>

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