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三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟

7月3日消息，据媒体报道，三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径浏览全文>>

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