增强存储技术：用于低功耗磁存储的多铁性纳米点

传统的存储设备是易失性的，而当前的非易失性存储设备依靠铁磁或铁电材料来存储数据。在铁磁器件中，数据通过对齐磁矩来写入或存储，而在铁电器件中，数据存储依赖于电偶极子的对齐。

然而，产生和纵磁场是能源密集型的，并且在铁电存储器件中，读取数据会破坏极化状态，需要重新写入存储单元。

多铁性材料同时包含铁电和铁磁序，为更高效、更通用的存储技术提供了一种有前景的解决方案。钴取代的BiFeO3(BiFe0.9Co0.1O3, BFCO) 是一种具有强磁电耦合的多铁性材料，这意味着电极化的变化会影响磁化强度。

因此，可以使用电场写入数据，这比产生磁场更节能，并使用磁场读取数据，从而避免了破坏性的读出过程。

日本东京工业大学 Masaki Azuma 教授和 Kei Shigematsu 助理教授领导的研究小组成功开发了具有单一铁电和铁磁域的纳米点，这是多铁性存储器件的一个重要里程碑。

“在东京工业大学创新研究所内的住友化学下一代环保设备协作研究集群中，重点关注多铁性材料，这些材料基于强磁力原理，表现出磁性能和电性能之间的互相关响应。相关电子系统。

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